سامسونج هارد إس إس دي داخلي 990 إيفو بلس 2 تيرابايت PCIe 4.0 NVMe M.2

سامسونج 990 EVO بلس هارد SSD داخلي NVMe M.2 PCIe 4.0

سرعة مذهلة كل يوم

اختبر نقل الملفات بسرعة البرق. يوفر محرك الأقراص 990 EVO Plus المزود بأحدث تقنيات NAND سرعات قراءة/كتابة متتابعة معززة تصل إلى 7,250/6,300 ميجابايت/ثانية. ملفات ضخمة، نقل فوري.

طاقة تبريد خلال يومك

كفاءة مُحسَّنة، أداء ممتد. يساعد جهاز التحكم المطلي بالنيكل على زيادة الميجابايت في الثانية لكل واط بنسبة 73%، مما يحقق نفس مستوى الطاقة والتحكم الحراري مع استهلاك أقل للطاقة. حافظ على تركيزك في العمل أو اللعب دون القلق بشأن ارتفاع درجة الحرارة أو عمر البطارية.

نقدم ابتكارات إلى الحياة

لعقود من الزمن، كانت ذاكرة فلاش NAND من سامسونج تدعم تقنيات رائدة غيرت كل جزء من حياتنا اليومية. كما تعمل تقنية فلاش NAND هذه على تشغيل أقراص SSD الاستهلاكية لدينا، مما يفسح المجال للمرحلة الكبيرة التالية من الابتكار.

الميزات الرئيسية

• سرعات فائقة - تصل إلى 7,250 ميجابايت/ثانية للقراءة و6,300 ميجابايت/ثانية للكتابة.

• كفاءة في استهلاك الطاقة - أداء عالٍ مع استهلاك أقل للطاقة.

• تبريد أفضل - يساعد على منع ارتفاع درجة الحرارة أثناء الاستخدام الكثيف.

• تخزين موثوق - تقنية Samsung NAND لأداء يمكن الاعتماد عليه.

ميزة عامة

التطبيق

أجهزة الكمبيوتر العميل

عامل الشكل

M.2 (2280)

الواجهة

PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0

ذاكرة التخزين

Samsung V-NAND TLC

وحدة التحكم

وحدة تحكم داخلية من سامسونج

ذاكرة التخزين المؤقت

HMB (مخزن ذاكرة المضيف)

ميزة خاصة

دعم TRIM

مدعوم

دعم S.M.A.R.T

مدعوم

GC (تجميع البيانات المهملة)

خوارزمية تجميع البيانات المهملة التلقائي

دعم التشفير

تشفير AES 256 بت (الفئة 0)TCG/Opal IEEE1667 (محرك أقراص مشفر)

دعم WWN

غير مدعوم

دعم وضع سكون الجهاز

نعم

الأداء

القراءة المتتابعة

تصل إلى 7,250 ميجابايت/ثانية، وقد يختلف الأداء بناءً على عتاد وتكوين النظام

الكتابة المتتابعة

تصل إلى 6,300 ميجابايت/ثانية، وقد يختلف الأداء بناءً على عتاد وتكوين النظام

قراءة عشوائية (4 كيلوبايت، QD32)

تصل إلى 1,000,000 IOPS، وقد يختلف الأداء بناءً على عتاد وتكوين النظام

كتابة عشوائية (4 كيلوبايت، QD32)

تصل إلى 1,350,000 IOPS، وقد يختلف الأداء بناءً على عتاد وتكوين النظام

البيئة

متوسط استهلاك الطاقة (على مستوى النظام)

المتوسط: قراءة 4.6 واط / كتابة 4.2 واط، وقد يختلف استهلاك الطاقة الفعلي بناءً على عتاد وتكوين النظام

استهلاك الطاقة (الخمول)

نموذجي 60 ميلي واط، وقد يختلف استهلاك الطاقة الفعلي بناءً على عتاد وتكوين النظام

استهلاك الطاقة (سكون الجهاز)

نموذجي 5 ميلي واط، وقد يختلف استهلاك الطاقة الفعلي بناءً على عتاد وتكوين النظام

الجهد المسموح به

3.3 فولت ± 5% الجهد المسموح به

الموثوقية (MTBF)

1.5 مليون ساعة موثوقية (MTBF)

درجة حرارة التشغيل

درجة حرارة التشغيل 0 - 70 درجة مئوية

الصدمات

1,500 G و 0.5 مللي ثانية (نصف جيبية)